傳感器技術是現代技術必不可少的類型之一。每個人都必須了解傳感器技術。
如果您想從基本內容中了解傳感器技術，則可以在編輯器中閱讀過去的文章。在本文中，編輯將介紹FSI圖像傳感器技術，并分析功率傳感器需要突破的四項主要技術。
如果您對傳感器技術感興趣，則不妨繼續閱讀。 1. FSI圖像傳感器技術傳統上，圖像傳感器是根據制造過程設計的。
因此，對于最終設備，光進入前面的金屬控制線之間，然后聚焦在光電探測器上。長期以來，FSI對于較大的像素一直非常有效，因為像素堆棧的高度與像素面積的比值很大，導致像素的孔徑較大。
縮小的像素需要一系列像素技術創新，以解決現有照明技術在材料和制造方面的局限性。例如，FSI采用了許多創新技術和工藝改進，例如形狀優化的微透鏡，色彩優化的濾光片，凹形像素陣列，光導管和抗反射涂層，以優化FSI像素的光路。
進入FSI像素的光首先由具有防反射涂層的微透鏡聚焦，該涂層也用作光圈。在手機中，微透鏡的設計必須能夠滿足透鏡質量和更大的主光線角的要求。
光線穿過微透鏡，然后聚集在具有最佳密度和厚度的彩色濾光片上，該彩色濾光片專為低光響應和信噪比（SNR）優化而設計，可確保將其完全分為三個基色分量。必須仔細選擇微透鏡的曲率和厚度，以使濾色鏡透射的光盡可能多地被光導管接收。
盡管將光管設計為收集從微透鏡發出的光，并使其以窄光束的形式穿過互連的金屬和隔離堆棧，但它仍可以有效地縮短光堆棧的高度（請參見圖2中的示意圖）。圖1的中心）并使其平行。
光束被引導到光電二極管區域（圖2）。導光管必須會聚在視錐和由孔徑確定的主光角（CRA）范圍內的任何光。
更先進的半導體制造工藝使用較小的特征尺寸，并從鋁工藝轉換為銅工藝，這可以提供更窄的金屬寬度并實現更寬的導光管。結合這些改進，像素陣列可以是凹形的，從而將像素陣列上方的堆疊高度減小到僅兩個金屬層的厚度。
一旦光導管將光子傳輸到硅芯片的表面，光電二極管便開始工作。鑒于硅晶片的光吸收特性，光電二極管的面積應延伸到幾微米的深度。
在設計光電探測器時，可以將耗盡深度擴展到硅晶片中，以最大程度地提高光子收集和存儲的空間分辨率（請參見圖1最右邊的示意圖）。關鍵是要最大化相鄰光電二極管之間的隔離度，并形成一個深結，以消除由未被吸收在光電二極管中的更大波長的光子所產生的任何光電荷。
2.功率傳感器技術的突破目前，我國功率傳感器需要突破的核心技術主要集中在以下四個方面：1.功率傳感器材料和器件技術的突破。開發交流和直流電量傳感器，以滿足直流測量和電能質量的要求；培養低成本，高度可靠的電流，局部放電，氣體和振動光學傳感器組件，這些組件可以與主要設備集成在一起；加速表面聲波，紅外線以及非接觸式溫度傳感器（如熱電堆）的開發。
2.考慮到超低功耗，帶寬等指標，研發滿足低功耗，寬帶窄帶集成的無線傳感器網絡協議和產品，滿足功耗感知的需求；建立基于一致的通信協議和評估方法的無線傳感器網絡互連互通性和評估系統，以解決不同供應商的產品和協議的兼容性以及各種性能評估問題。 3.針對功率感知應用的快速響應特性，形成智能分析技術平臺以實現“感知+本地分析”。
基于“平臺+應用