10月11日，中國領先的一站式IP和定制芯片領導者INNOSILICON宣布，它已完成基于SMIC FinFET N + 1先進工藝的全球首個芯片出帶和測試。全部IP全部由內部制作，并且功能已通過測試。
這是經過過去幾個月的流程迭代和共同努力后獲得的一個里程碑式的結果。 “ N + 1”表示是SMIC第二代高級流程的代號。
與現有的14nm工藝相比，其性能提高了20％，功耗降低了57％，邏輯面積減少了63％。面積減少了55％。
根據官方網站的信息，信東科技是中國芯片IP和芯片定制的一站式領導者，提供全球主流代工廠（TSMC /三星/ GlobalFoundries / SMIC /聯華電子/英特爾/上海華立/武漢鑫芯等）。 ），這是一套完整的高速混合電路IP內核和ASIC定制解決方案，范圍從180nm到5nm，尤其是22nm以下的FinFET工藝的完整覆蓋范圍。
它是僅有的具有兩個代工廠（TSMC，三星）的國內5nm工藝庫和設計流程，這是一家具有膠片功能的技術提供商。 Core Motion Technology繼續專注于全球先進的處理芯片IP和定制，擁有全方位的獨立高帶寬高性能計算IP技術，多次填補了國內先進技術的空白，其核心技術為大眾提供了支持為全球客戶生產數十億個高端SOC。
自2019年以來，中芯國際的N + 1流程尚未成熟，團隊克服了整個流程中的困難，投資了數千萬人民幣進行設計優化，并率先完成了NTO流片。基于N + 1工藝的首款芯片已經經歷了幾個月的測試循環，經過了多輪測試，幫助中芯國際突破了N + 1工藝的產量瓶頸。
如今，新東科技已成功驗證了基于國內N + 1新工藝的首個里程碑式NTO出帶，并為國內半導體生態鏈做出了新貢獻。 21ic家族此前也曾報道說，中芯國際已經公開對其N + 1生成過程的進展做出了回應。
中芯國際表示，N + 1工藝將于2020年底小批量試生產。可以預見，N + 1批量生產的時間不會太長。
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